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产品型号:WHL3—30M01Y

所属分类最高频高压整流硅堆
概要信息
硅堆是把几个二极管组成的整流电路一起封装在树脂中,形成的整流电路,是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。检测时,可通过分别测量"+”极与两个"一”极、”一”极与两个“一”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常,即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
产品描述

  硅堆是把几个二极管组成的整流电路一起封装在树脂中,形成的整流电路,是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。检测时,可通过分别测量"+”极与两个"一”极、”一”极与两个“一”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常,即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
  高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成,检测时,可用万用表的Rxlok挡测显其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kf,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有-定电阻值,则说明该高压硅堆已被击穿损坏。
  肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表RI挡测量。正常时,其正向电阻值(黑表笔接正极为2.5-3.5Q,反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O,则说明该二极管已开路或击穿损坏。
  硅堆特点:
  1、低反向漏电流,瞬态10ms正向浪涌电流保护;
  2、耐冲击电压,具有雪崩电压击穿保护特性;
  3、高耐热性能,PN结点温度范围高达125℃—+175℃;
  4、可选先进的高温钝化芯片封装技术;
  5、优良的持续放电性;
  6、工艺环保,符合国际标准;
  7、严格执行ISO9001国际质量管理体系把控产品品质;
  8、新型模塑封装技术,确保产品的耐潮湿性能,可承受严酷恶劣的使用环境;
  9、亦可根据需要设计定制客户的专属产品;

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最高频高压整流硅堆

 

产品型号: WHL3—30M01Y

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产品参数:
电压: 30KV
电流: 3A

恢复时间: trr≤35nS

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技术资料                                 

■级别:工业级                                  

■封装形式:塑料封装                           

■引线:轴向引线                               

■极性:色环指示负极

■高温焊接保证:260±5℃≯10秒,

焊接部位距管体10mm以上,引线拉力2.3千克

 

产品标准

 GB/T 4589.1-2006

《半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范》

Q/FT TRV0001-2017《高压硅堆》

 

参数值和特性

除非另有规定,环境温度均为25℃。

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