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产品型号:高频高压硅堆ZSL2—25M01Y

所属分类组合硅堆
概要信息
高频高压硅堆的结温是由于PN结的功率损耗对结部加热所致,而结功率损耗还与整流电流的波形和施加的反向电压有关。例如,当波形为非正弦波而是矩形波时,高频高压硅堆的整流电流值应减小。当反向电压较高时尚需考虑反向功率损耗(一般情况下可忽略),务必使其不要超过元件允许值。
产品描述

  高频高压硅堆的结温是由于PN结的功率损耗对结部加热所致,而结功率损耗还与整流电流的波形和施加的反向电压有关。例如,当波形为非正弦波而是矩形波时,高频高压硅堆的整流电流值应减小。当反向电压较高时尚需考虑反向功率损耗(一般情况下可忽略),务必使其不要超过元件允许值。
  但是在事故状态下,例如试品发生击穿或闪络,则高频高压硅堆有可能流过很大的正向电流,此时结温允许在一短时间内超过额定最高允许结温,若时间很短则尚不致造成损坏。但若在某一给定的时间问隔内,电流值超过了相应的某一限度,则PN结可能因过流而使元件烧毁。另外,即使电流值不超过这个限度,这种过电流的冲击次数在硅堆的整个使用寿命期间也不能太多(大约在几百次)。表示硅堆在多长的时间间隔内,允许流过多大的故障电流的特性,称为过载特性(此时结温不能超过160℃),而该允许的电流值称为过载电流额定值。
  为了保护高频高压硅堆必须保证流过硅堆的事故电流(峰值)不超过允许的过载电流(峰值),一般只需在高压回路选用合适的限流电阻R即可。但在一些额定电流较大、持续运行时间较长的直流高压设备中,为了避免电阻会增加设备在正常工作状态下的功率损耗,常不采用R而选用晶闸管、过流继电器和快速熔断器等元件作为过电流保护。

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超高频组合硅堆

 

产品型号: ZSL2—25M01Y

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产品参数:
电压: 25KV
电流: 2A

恢复时间:100~150nS

 

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技术资料                                 

■级别:工业级                                  

■封装形式:塑料封装                           

■引线:轴向引线                               

■极性:色环指示负极

■高温焊接保证:260±5℃≯10秒,

焊接部位距管体10mm以上,引线拉力2.3千克

 

产品标准

 GB/T 4589.1-2006

《半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范》

Q/FT TRV0001-2017《高压硅堆》

 

参数值和特性

除非另有规定,环境温度均为25℃。

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