表面贴装高压二极管采用的主要工艺技术有：硅外延衬底、P+环技术、势垒金属与硅的合金技术，尤其是它的器件采用双芯片、共阴极，塑料半包封结构。本文将简述表面贴装高压二极管的使用要点?想知道的话赶紧来看看吧。

　　表面贴装高压二极管是以贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，N型半导体B为负极，利用其上形成的势垒制成的金属-半导体器件。两者的接触面具有整流特性。当然，这主要是因为N型半导体中有大量的电子，而贵金属中只有极少量的自由电子，所以电子从高浓度的B向低浓度的A扩散。显然，金属A中没有空穴，自然也没有空穴从A到B的扩散运动。随着电子从B到A的不断扩散，B表面的电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，形成势垒，电场方向为B→A。但是在使用的时候还需要知道的是表面贴装高压二极管在电场的作用下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而削弱扩散运动形成的电场。因此，当建立一定宽度的空间电荷区时，电场引起的电子漂移运动和不同浓度引起的电子扩散运动达到相对平衡，形成肖特基势垒。二氧化硅(SiO2)用于消除边缘区域的电场，提高管子的耐压。N型衬底导通电阻小，其掺杂浓度比H层高100%。在基板下方形成N阴极层，其作用是降低表面贴装高压二极管阴极的接触电阻。

　　表面贴装高压二极管低于PN结势垒高度，因此其正向导通阈值电压和正向压降低于PN结二极管(约低0.2V)。此外，它具有开关频率高、正向电压降低等优点，但其反向击穿电压较低，大多不高于60V，较高仅100V左右，限制了其应用范围。这样，在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中，可用作功率开关器件的续流二极管，变压器次级可用作100V以上的高频整流二极管。除了这些，还要了解它的RCD缓冲电路使用600V~1.2kV的高速二极管和600V的二极管用于PFC升压等，只有快恢复外延二极管(FRED)和超快恢复二极管(UFRD)被使用。表面贴装高压二极管反向恢复时间Trr也超过20ns，无法满足空间站等领域1MHz到3MHzSMPS的需求。即使器件是100kHz硬开关的SMPS，由于它的导通损耗和开关损耗大，外壳温度非常高，需要很大的散热片，表面贴装高压二极管大大增加了SMPS的体积和重量.，不符合小型化、薄型化的发展趋势。因此，100V以上高压SBD的开发一直是研究课题和关注焦点。要是还有不懂的问题可以随时拨打我们的电话来咨询的。这里有在线客服人员接待你，不管是任何问题都会帮你耐心去解答的。在官网上也可以看到我们的联系方式，你可以直接拨打电话来咨询的。

　　以上文章内容就是为大家介绍的表面贴装高压二极管的使用要点，不知道你了解了没有呢。如果你还不了解的话赶紧来阅读一下吧。好了，今天的知识点就先说到这里了，希望能为你带来帮助吧。