高频高压我们经常听到，但很多人不知道高频高压硅堆反应堆是什么，下面我会和大家分享，高压硅反应堆是什么。 今天为您讲解。

　　高频高压硅堆又称硅柱。它是一种硅高频高压整流二极管。工作电压介于几个秒电压和几十秒电压之间。高压频率是其特点，常用于黑白电视或其他电子设备的高频高压整流。高频高压硅堆具有如此高的耐压能力，其原因在于其内部由多个硅高频二极管管芯串联而成，外部由高频陶瓷封装而成。体积小、重量轻、机械强度高、操作简单、无辐射。高频高压硅堆广泛应用于直流高压设备中作为基础整流器。事实上，一个硅堆通常由几个到几十个硅整流二极管串联组成。体积小为运输对象本身具有优势，在车间产品行业，汽车行业占据市场一席之地。这个应用已经得到了广泛的推广。

　　事实上，一个硅堆通常由几个到几十个硅整流二极管串联封装而成。单向导电硅二极管的正反向伏安特性图1所示的高频高压硅叠具有体积小、重量轻、机械强度高、使用方便、无辐射等优点，在DC高压设备中作为基本整流元件广泛使用。当二极管上加直流电压UF时，正向电流很小，但当UF大于某一值Uf时，正向电流If随着Uf的变大而迅速变大，通常称为“死角电压”，高压硅整流二极管Uf约为0.4 V~0.6 V。当二极管上施加反向电压Ur时，二极管呈现较大的阻抗，其反向电流Ir很小(约几微安)，随着反向电压的增加而略有增加。但当反向电压超过一定值UR时，Ir急剧增加，所以UR称为击穿电压，高压硅整流二极管的UR可达几千到几万伏。

　　当你需要使用一个高频高压硅堆时还应进行掌握它的过载特性，可以通过完全正确判断企业一般硅堆的正向损坏是由于二极管PN结的热击穿造成的，根据大功率硅整流元件分析技术发展标准管理规定，PN结的较高允许学生工作环境温度为140℃。因此在正常教学工作时结温需要低于140℃，不然会引起硅堆特性变坏和加速封装硅堆的绝缘介质的老化，从而产生影响研究高频高压硅堆使用网络寿命。使用时需要充分考虑到公司产品设计本身的特点，应用时才会不用考虑问题那么多其他非控制的因素。